1、IGBT产业格局
全球功率半导体巨头主要集中美国、欧洲、日本三个地区。大陆、台湾地区厂商主要集中在二极管、晶闸管、低压MOSFE丁等低端功率器件领域,IG日丁、中高压MOSFE丁等高端器件主要由欧美日厂商占据。

全球IGBT器件及模块2015年销售额39.44亿美金,德国英飞凌及赛米控(semikron),日本三菱及富士电机,美国仙童半导体基本把控了全球IGBT市场,前五大厂商占据了73.2%的市场份额。

2015年功率MOSFET市场产值达到54.84亿美金,英飞凌、仙重半导体、日本瑞萨电子、欧洲意法半导体、日本东芝等厂商占据了绝大部分市场份额,前五大厂商的市场占有率合计达到了60.1 %。
参考观研天下发布《2018-2023年中国半导体产业市场规模现状分析与未来发展前景预测报告》

据世界半导体贸易组织数据,全球功率二极管及整流桥市场容量约为368亿元人民币。IGBT及MOSFE丁市场相对集中,而功率二极管及整流桥产业市场格局相对分散,从分散走向集中是大势所趋。二极管及整流桥的芯片制造环节具有明显的规模效应,我们认为龙头企业规模扩大后会挤占掉小型厂商的生存空间,实现更高的行业市占率和集中度。


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